دیتاشیت JCS4N65VB-IPAK
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
JCS4N65VB-IPAK
|
حجم فایل |
91.024
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
18
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Jilin Sino-Microelectronics JCS4N65VB-IPAK
-
Power Dissipation (Pd):
117.9W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
650V
-
Continuous Drain Current (Id):
4A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2.4Ω@10V,2A
-
Package:
TO-251
-
Manufacturer:
Jilin Sino-Microelectronics